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SERIS研究人員推出新多晶硅織構技術

國際太陽能光伏網  來源:國際能源網  作者:劉鑫  日期:2018-03-27
  SERIS的一個科學家小組宣布開發了一種新的金剛石線切割多晶硅(multi-cSi)晶圓的工藝技術。該濕化學技術使晶圓表面具有納米級特性,增加了光在表面多次反射并被晶片材料吸收的可能性。
 
  根據SERIS的說法,這項技術使用的是特有的化學物質,而且成本低,可擴展,并且可以很容易地集成到電池生產線中。
 
  
 
  幾年前金剛石線鋸的出現為光伏制造業削減了巨大的生產成本,但由于材質問題,該技術最初僅適用于單晶硅晶圓。
 
  目前有幾種解決方案已經商業化,包括活性離子刻蝕的“黑硅”技術,金屬催化化學刻蝕以及德國Schmid開發的DW Pretex工藝。盡管如此,SERIS相信它的新工藝為制造商帶來進一步的好處,尤其是與黑硅工藝相比。
 
  “DWS 多晶硅晶圓表面常用的兩種技術是活性離子刻蝕(RIE)和金屬催化化學刻蝕(MCCE)。這兩種技術的生產成本遠高于傳統的酸基技術,而MCCE則涉及使用金屬顆粒,這就有可能將污染物引入生產線。”DWS晶圓技術的主要發明者Huang Ying說,“我們的技術更簡單,更便宜,沒有金屬,可實現超過20%的電池轉化效率。出于這些原因,我堅信我們的技術可以成為mc-Si太陽能電池制造商所使用的主流材質。”
 
  SERIS表示,其工藝技術已被多家一級制造商所認可,并計劃與他們密切合作,將工藝技術應用到大型生產線。SERIS首席執行官Armin Aberle說:“我們相信SERIS開發的這項新技術將成為DWS mc-Si晶圓的主流技術。”(實習編譯:劉鑫)
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